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下游需求旺盛，國產(chǎn)加速布局，功率半導(dǎo)體企業(yè)哪家強？
2022-10-30 / 市值觀察 作者：程諾，編輯：小市妹功率半導(dǎo)體器件（也稱電力電子器件），是在電力電子變換裝置中可實現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心器件，主要在電子電路中發(fā)揮著整流、變頻、變壓、功率放大/開關(guān)和線路保護等作用。
按器件集成度劃分，功率半導(dǎo)體當(dāng)前可分為功率分立器件、功率模塊和功率IC三大類。其下游應(yīng)用廣泛，幾乎可覆蓋至所有電子制造領(lǐng)域，如電力傳輸、工業(yè)控制、消費電子和新能源等。
近年來，隨著AI、數(shù)字經(jīng)濟、光伏、新能源汽車等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體增量空間不斷打開，市場規(guī)模持續(xù)增長。據(jù)Omdia數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2021年，我國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為159億美元，預(yù)計到2024年，市場規(guī)模有望達(dá)到190億美元，發(fā)展前景廣闊。
由于我國起步較晚，當(dāng)前不管是從技術(shù)儲備還是營收能力上均與國外企業(yè)有著一定差距，但得益于國家近年來制訂的一系列政策的鼓勵、支持與促進，國內(nèi)功率半導(dǎo)體行業(yè)正駛?cè)氚l(fā)展快速道。
1、聞泰科技
全球ODM+IDM行業(yè)龍頭，成立于2006年，主要從事半導(dǎo)體、光學(xué)模組及通訊產(chǎn)品集成三大板塊業(yè)務(wù)，擁有集半導(dǎo)體芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試，以及光學(xué)模組、通訊終端、汽車電子等多個產(chǎn)品研發(fā)、制造于一體的全產(chǎn)業(yè)鏈布局。
據(jù)官網(wǎng)，公司以手機獨立設(shè)計業(yè)務(wù)起家。2008年，主營業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型至ODM領(lǐng)域，隨后ODM業(yè)務(wù)常年市占率為20%左右。2019年，公司完成對全球領(lǐng)先半導(dǎo)體IDM廠商安世半導(dǎo)體的收購，布局切入半導(dǎo)體領(lǐng)域。兩年后，公司收購廣州得爾塔，正式布局光學(xué)模組業(yè)務(wù)。
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，公司全資子公司安世半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的分立與功率芯片制造商，深耕半導(dǎo)體研制超60年，產(chǎn)品品類豐富，主要有二極管、雙極性晶體管、MOSFET器件（金氧半場效晶體管）及氮化鎵場效應(yīng)晶體管等，可廣泛適用于全球各類電子設(shè)計中。
其中，公司100V以上MOSFET料號已超100種。而在化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品方面，公司第二代650V 氮化鎵功率器件現(xiàn)已通過AEQC認(rèn)證測試并實現(xiàn)量產(chǎn)，新款器件性能優(yōu)勢明顯。
據(jù)IHS Markit 2020年數(shù)據(jù)，安世半導(dǎo)體雙極性晶體管、二極管和ESD保護器件均排名第一，汽車功率MOSFET管排名第二，多個品類產(chǎn)品的全球市占率均處于領(lǐng)先地位。
據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，2021年，安世半導(dǎo)體在全球功率半導(dǎo)體企業(yè)中排名第八，在全球功率分立器件企業(yè)中排名第六，分別較2019年上升一位、較2020年上升三位。
2、華潤微
國內(nèi)功率半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)，主要從事功率半導(dǎo)體、智能傳感器和智能控制產(chǎn)品的設(shè)計、生產(chǎn)及銷售，以及為客戶提供芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試、掩模等全產(chǎn)業(yè)鏈一體化制造服務(wù)。
公司高度重視技術(shù)研發(fā)，掌握著溝槽型SBD設(shè)計及工藝技術(shù)、MEMS工藝晶圓制造技術(shù)及IPM模塊封裝技術(shù)等多項達(dá)到國際領(lǐng)先、國內(nèi)領(lǐng)先地位的核心技術(shù)。
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，公司產(chǎn)品主要分為功率器件和功率IC兩大類，其中包括MOSFET、IGBT、SBD及各系列電源管理芯片等，多適用于消費電子、汽車電子、新能源和工業(yè)控制等領(lǐng)域。
基于先進的設(shè)計技術(shù)和制造工藝，公司生產(chǎn)的功率器件產(chǎn)品具有高可靠、低開關(guān)/導(dǎo)通損耗等優(yōu)勢。據(jù)年報，截至2020年底，公司已合計擁有超1100項分立器件產(chǎn)品與超500項功率IC產(chǎn)品，是國內(nèi)產(chǎn)品線最為全面的功率分立器件廠商之一。
得益于IDM模式的優(yōu)勢和較強的研發(fā)實力，公司現(xiàn)已建立起領(lǐng)先國內(nèi)水平的Trench-FS工藝平臺，具備600V-6500V IGBT工藝能力，在IGBT、SBD等功率器件上具有較強的產(chǎn)品競爭力，是目前國內(nèi)少數(shù)同時擁有全部MOSFET主流器件結(jié)構(gòu)研發(fā)和制造能力且可為客戶提供-100V至1500V范圍內(nèi)低中高壓全系列MOSFET產(chǎn)品的功率半導(dǎo)體廠商。
據(jù)2022半年報顯示，公司先進中低高壓MOSFET當(dāng)前已在光伏、新能源汽車及充電樁領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了規(guī)模化銷售，IGBT產(chǎn)品也已通過全球光伏頭部客戶認(rèn)證并批量供應(yīng)。
3、士蘭微
國內(nèi)IDM功率/模擬芯片龍頭，成立于1997年，專注從事集成電路、半導(dǎo)體分立器件及LED等電子產(chǎn)品的設(shè)計、制造和銷售，主要產(chǎn)品品類包括功率器件、模擬電路、MCU、LED芯片等。
成立早期，公司主要從事模擬電路設(shè)計。2001年，公司開始切入硅芯片制造業(yè)務(wù)，成為IDM模式的半導(dǎo)體企業(yè)。此后近20年，公司業(yè)務(wù)領(lǐng)域逐步拓展至LED、IPM和IGBT等板塊。
2017年起，公司與廈門半導(dǎo)體投資集團共同投資建設(shè)12寸特色工藝晶圓產(chǎn)線及先進化合物半導(dǎo)體器件產(chǎn)線，第一條產(chǎn)線于2020年底投產(chǎn)，公司成為國內(nèi)率先布局12寸晶圓產(chǎn)線的IDM企業(yè)。
據(jù)年報，公司當(dāng)前業(yè)務(wù)布局以功率分立器件及模塊為主，功率器件產(chǎn)品已覆蓋至MOSFET、IGBT、IGBT大功率模塊（PIM）、IPM模塊等眾多品類，且部分產(chǎn)品性能已達(dá)行業(yè)領(lǐng)先水平。
其中，在IPM領(lǐng)域，公司打造了以IPM為核心的完整解決方案，系列產(chǎn)品已覆蓋至20W-3000W功率段，可廣泛應(yīng)用于冰箱、空調(diào)、變頻器、風(fēng)機、水泵等領(lǐng)域。受益于全球芯片短缺，公司憑借產(chǎn)能優(yōu)勢迅速上量，目前已獲得海爾、美的、格力、海信等主流家電企業(yè)的認(rèn)可。
在IGBT、超級結(jié)MOSFET等領(lǐng)域，公司積極布局，研發(fā)技術(shù)實力較強，已成功推出了基于自主研發(fā)的V代IGBT和FRD芯片的電動汽車主電機驅(qū)動模塊。
目前，公司車規(guī)IGBT模塊已通過國內(nèi)多家客戶測試，并已實現(xiàn)批量供貨。
4、揚杰科技
國內(nèi)老牌功率半導(dǎo)體企業(yè)，成立于2006年，主營功率半導(dǎo)體芯片及器件制造、集成電路封裝測試等業(yè)務(wù)，擁有各類電力電子器件芯片、MOSFET、IGBT、SiC、功率二極管等豐富的產(chǎn)品線，是國內(nèi)少數(shù)集半導(dǎo)體分立器件芯片設(shè)計制造、器件封裝測試、銷售與服務(wù)于一體的IDM廠商。
據(jù)官網(wǎng)，公司前身為揚杰投資，主營電子元器件貿(mào)易業(yè)務(wù)。2006年，公司設(shè)立橋堆二極管產(chǎn)線，業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)向產(chǎn)業(yè)鏈上游，主要產(chǎn)品包括整流二極管、快恢復(fù)二極管、光伏二極管等多個品種。
據(jù)芯謀研究數(shù)據(jù)，2019年，公司在國內(nèi)功率二極管市場的市占率為13.5%，排名行業(yè)第一；整流橋全球市場市占率達(dá)20.5%，排名前列，行業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢明顯。
2017年，公司開始切入功率器件中高端領(lǐng)域，布局IGBT和MOSFET器件研發(fā)生產(chǎn)。當(dāng)前，公司MOSFET、IGBT系列產(chǎn)品開發(fā)、驗證進展順利，已實現(xiàn)多款中低壓溝槽功率MOSFET產(chǎn)品的量產(chǎn)，掌握了SGT MOS技術(shù)，產(chǎn)品性能和良率均達(dá)到國內(nèi)最優(yōu)水平。
其中，公司車規(guī)級MOSFET系列產(chǎn)品現(xiàn)已實現(xiàn)批量供貨，車規(guī)級IGBT正持續(xù)推進客戶認(rèn)證；光伏逆變器用IGBT也已實現(xiàn)小批量生產(chǎn)供貨。
公司重視研發(fā)創(chuàng)新，堅信研發(fā)驅(qū)動企業(yè)長期成長。2021年，公司在研發(fā)上投入費用2.42億元，同比增長84.73%，研發(fā)投入占比達(dá)5.5%。
而通過較高力度的研發(fā)投入，公司產(chǎn)品持續(xù)迭代更新，在發(fā)展中高端MOSFET、IGBT芯片及器件的同時，面向功率器件高端領(lǐng)域，前瞻布局加強SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)的研發(fā)，當(dāng)前已實現(xiàn)650V SiC SBD、1200V系列SiC SBD、SiC模塊等全系列產(chǎn)品的市場推出。
5、斯達(dá)半導(dǎo)
國產(chǎn)IGBT龍頭，成立于2005年，專注于從事IGBT、MOSFET、SiC等功率模塊的設(shè)計、制造和測試，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于新能源、工業(yè)控制、新能源汽車和白色家電等領(lǐng)域。
據(jù)官網(wǎng)，成立之初，公司即專注IGBT模塊的開發(fā)。2007年，公司完成了IGBT模塊關(guān)鍵技術(shù)工藝的開發(fā)，成功推出了第一款I(lǐng)GBT模塊。之后，為實現(xiàn)核心芯片自主供應(yīng)，公司自主研發(fā)出了平面柵NPT型IGBT芯片，并于2012年成功實現(xiàn)量產(chǎn)。
據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，2020年，公司IGBT模組收入在全球占比2.8%，排名第六，是國內(nèi)唯一進入世界前十的IGBT公司。
在車規(guī)級IGBT方面，得益于公司較早的布局新能源汽車領(lǐng)域，其車規(guī)級IGBT模塊持續(xù)放量，當(dāng)前配套車型已實現(xiàn)A00級到B+級的覆蓋。
而通過與華虹半導(dǎo)體合作，公司于2021年率先成功研發(fā)出了基于第七代微溝槽技術(shù)的新一代車規(guī)級650V/750V/1200V IGBT芯片，并于2022年實現(xiàn)批量出貨，技術(shù)水平大幅領(lǐng)先市場。
據(jù)統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2022年第一季度，公司在車規(guī)級IGBT市占率約為16.4%，排名國產(chǎn)品牌第一，僅次于龍頭英飛凌（全球頭部半導(dǎo)體企業(yè)之一）的22.9%。
在光伏IGBT方面，公司也已較早步入，自主IGBT芯片開發(fā)的分立器件以及配套快恢復(fù)二極管芯片的模塊和分立器件已獲得行業(yè)內(nèi)主流光伏逆變器客戶的達(dá)批量裝機應(yīng)用。